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硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。

氧化硅抛光液 氧化硅抛光液(CMP抛光液)是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。 广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟,精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

氧化铝和碳化硅抛光液 是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液,主要成分是微米或亚微米级的磨料。 主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。如:硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。

这两个概念主要出半导体加工过程中,最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。

生产二氧化硅抛光液,主要用于精密研磨抛光加工,深圳海德研磨的二氧化硅抛光液可达到纳米级,能有效改善表面粗超度,去除表面波纹,划痕,斑点等,抛光后可呈完美的镜面效果,光洁度高。另外该液体粒度分布均匀,分散性能好,使用时无需二次分散,无沉淀。

防锈的特点,能够保证不产生锈蚀,适当的加入防锈剂,需要要求防锈处理,主要是针对水性研磨抛光液而言,对于油性研磨抛光液,一般是不会产生锈蚀的问题。