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太原抛光粉生产商,享有良好的口碑

2020-05-25 03:03:01 126次浏览

价 格:面议

抛光粉通常由氧化铈(VK-CE01)、氧化铝(VK-L30F)、氧化硅(VK-SP50F)、氧化铁、氧化锆(VK-R30F)、氧化铬等组份组成,不同的材料的硬度不同,在水中的化学性质也不同,因此使用场合各不相同。氧化铝和氧化铬的莫氏硬度为9,氧化铈和氧化锆为7,氧化铁更低。氧化铈与硅酸盐玻璃的化学活性较高,硬度也相当,因此广泛用于玻璃的抛光。

光液使用方法

包括棘轮扳手、开口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺丝刀等,铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后,再使用抛光剂配合振动研磨光饰机,滚桶式研磨光式机进行抛光。

1、抛光剂投放量为(根据不同产品的大小,光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置);

2、抛光时间:根据产品的状态来定;

3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

性能特点: 1、光泽度高,可达100度以上,超出新出厂石材的标准。 2、硬度高,不易划伤,一般硬物(或自然行走)不会对石材造成磨损。 3、均匀、平整、光滑、天然、清澈,有镜面感觉,显现石材天然色泽。 4、表面干爽,不吸附尘埃,尘埃沙粒仅停留在表面,易彻底清理。 5、还具有防滑、防污效果。 适用范围:特特别适用于一些比较难处理的大理石,如:洁士白、大花绿等石材。大理石面板、墙壁的清洗、增亮、防护处理。晶面处理后石材表面的日常维护处理。

这两个概念主要出半导体加工过程中,最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。

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